SiC概念股漢磊衝破天際：技術突破能否撐住股價狂瀾？

近期半導體板塊的話題焦點無疑落在漢磊身上。這家公司的股價表現堪稱驚人——在短短四個交易日內就拉出三根漲停，最高衝至57.7元，創下近半年新高，月度漲幅更是超越25%。如此凶悍的走勢，讓不少投資者都在追問：究竟是什麼引發了市場如此熱烈的反應？

技術突破點燃市場想像力

漢磊之所以成為市場寵兒，核心催化劑源於其在碳化矽領域的新進展。公司日前宣布旗下第四代MOSFET製程平台（G4）實現技術突破，在關鍵指標上交出漂亮的成績單：晶片尺寸縮小20%，導通電阻也同步降低20%，整體性能指標已對標國際先進水準。

這項進展為何備受矚目？關鍵在於SiC概念股的市場想像空間。隨著AI晶片需求的爆發式成長，業界頻傳GPU製造商可能轉向採用SiC材料以提升散熱與能效表現。一旦漢磊能成為相關供應鏈的參與者，無疑會獲得新的成長動能。這樣的故事足以吸引外資與自營商的聯手布局，推動股價扶搖直上並突破所有技術均線。

投機浪潮與市場亂象

然而，股價的狂歡背後也隱藏著令人擔憂的現象。上週五的反轉走勢最為典型：股價早盤一度衝高至56.5元、漲幅達4.24%，卻在隨後遭遇狙擊而直線翻黑，最終收跌3.14%至52.5元。更值得警惕的是，當日現股當衝成交量竟高達50,285張，當衝比率衝破71%的高位——這說明大量短線資金在進行高風險博弈，股票儼然已成為投機籌碼。

業績與股價的失衡

將焦點轉向公司的經營數據，卻是另外一番景象。翻開近期財報會發現，漢磊已經連續七個季度處於虧損狀態，今年上半年的每股虧損達到1.02元。營收方面雖然在7月出現小幅回升，但累計前七個月仍較去年同期衰退7.9%。

這組數據揭示了一個重要現實：當前股價的上漲更多是建立在市場對「未來故事」的想像，而非公司當下的實際業績表現。SiC概念股的敘事再動人，也無法掩蓋目前的虧損局面。

投資人需要的冷靜判斷

對於關注漢磊的投資者來說，面對眼前的機遇與風險需要更加謹慎的評估。技術突破固然令人期待，但從實驗室到商業化應用往往需要漫長的過程，期間充滿不確定性。而短線資金的狂歡往往來得快、去得也快，當熱度消退時，留下的常常是一地狼狽。

在追逐SiC概念股熱度的同時，投資人應當對基本面與股價之間的巨大背離保持清醒認識。畢竟，真正能夠支撐股價的，終究還是公司扭虧為盈、業績實現爆發式成長的那一刻。在那一刻到來之前，警惕心理層面的狂熱所帶來的風險。