サムスン電子、NVIDIA GTC会議でHBM4Eチップサンプルを発表

英伟达主催の年次技術会議で、サムスン電子は第7世代の高帯域幅メモリ（HBM）、すなわちHBM4Eを発表しました。英伟达は会議で、メモリチップ以外の分野でも拡大し続ける両者の協力関係を強調しました。

月曜日（米国時間）にカリフォルニアで開幕した英伟达GTC 2026では、サムスン電子はHBM4E製品の最新進展を披露し、英伟达のVera Rubin AIプラットフォームの総合メモリソリューション提供者としての能力を示しました。

これはサムスン電子が実物のHBM4Eチップを初めて公開したもので、シングルピン伝送速度は16Gbps、帯域幅は4.0TB/sと予測されています。

この性能はHBM4に比べて向上しており、HBM4のシングルピン伝送速度は13Gbps、帯域幅は3.3TB/sです。

基調講演で、英伟达のCEO黄仁勲は、サムスン電子が製造するGroq 3言語処理ユニット（LPU）に感謝を述べました。このユニットは英伟达のAIプラットフォームに搭載され、性能向上に寄与します。

「サムスンに感謝します。彼らはGroq 3 LPUチップを製造しており、全力を尽くしています。本当に感謝しています」と黄仁勲は述べ、そのチップがサムスン電子の委託生産部門によって製造されたことを確認しました。

この発言は、サムスン電子と英伟达が人工知能分野の協力をチップ委託生産事業にまで拡大していることを示しています。

先月、サムスン電子は第6世代HBMチップ、すなわちHBM4の量産出荷を開始しました。このチップは英伟达のVera Rubinプラットフォーム向けに設計されており、サムスンはこれがAI計算において「究極の性能」を提供すると述べています。

また、サムスン電子はハイブリッド銅ボンディング（HCB）技術も発表しました。この技術は16層以上の銅箔を積層でき、熱圧着（TCB）と比べて熱抵抗を20％低減し、次世代HBMパッケージの性能を強調しています。

この韓国のテクノロジー大手は、「AI業界の革新を推進するために、Vera Rubinプラットフォームのような強力なAIシステムが不可欠です」と述べました。

サムスン電子はさらに、「同社はVera Rubinプラットフォーム向けの高性能メモリソリューションの提供を継続する計画です」と付け加えました。

また、両社はこの協力関係を通じて、世界の人工知能インフラのパラダイムシフトをリードしたいと表明しています。

このイベント期間中、サムスン電子はブースを設置し、人工知能工場、ローカルAI、物理的AIの3つのエリアに分かれて、次世代チップを展示しました。