根據 Odaily，NVIDIA 執行長黃仁勳（Jensen Huang）週日表示，該公司的新 Vera CPU 將採用 SK 海力士（SK Hynix）的儲存晶片，兩家公司也計畫在接下來一年擴大合作。黃仁勳在首爾與 SK 集團（SK Group）董事長崔泰源（Chey Tae-won）以及 SK 海力士（SK Hynix）執行長權五俊（Kwon Oh-joon）共進晚餐。他說：「今年我們正在與 SK 海力士進行非常大規模的合作，並準備在下半年以及明年進行更大規模的合作。Vera 是我們革命性的資料中心 CPU，也將採用 SK 海力士 DRAM。」黃仁勳週五抵達，拜訪合作夥伴與供應商，並計畫週一會見三星電子（Samsung Electronics）副董事長盧泰郁（Joh Sung-wook）以及現代汽車集團（Hyundai Motor Group）與 LG 集團（LG Group）的高層。

輝達（Nvidia）執行長宣布，該公司的 Vera 資料中心 CPU 將採用 SK Hynix 的 DRAM，隨著加速的 AI 基礎設施需求成長，這將深化兩家公司之間的合作。

根據 Barron 引述 Raymond James 分析師 Kal Ackerman 的說法，隨著市場對記憶體晶片價格可能放緩的擔憂升溫，Micron Technology 股價在 6 月 5 日下跌 13.25%，至 864.01 美元。Ackerman 在一份研究報告中警告，DRAM 與 NAND 快閃記憶體晶片的平均售價預計將在 2026 年年中見頂，且潛在的季度下跌可能最早從明年開始。他將壓力歸因於供給面因素與需求面疲弱：供給面包括來自中國製造商競爭加劇；需求面則是因為 AI 伺服器採購挾持其他市場的訂單，導致需求走弱。此一展望促使 9 家美國貿易協會聯合敦促美國財政部長 Scott Bessent 與商務部長 Howard Lutnick 處理記憶體晶片短缺問題，並警告 AI 的快速擴張必須不能損害其他產業。

根據 Odaily，代幣化晶片股票在過去 24 小時內上漲。DRAM 上漲 7.08% 至 $58.22，MU 上漲 3.69% 至 $896.52，而 SKYNIX 上漲 6.94% 至 $1,295.25。Nvidia 執行長 Jensen Huang 表示，記憶體短缺將持續多年，並將在週一公布與 SK 集團董事長 Chey Tae-won 的合作計畫。

根據 SemiAnalysis，Micron 的股價在 6 月 5 日（週五）暴跌 13%，創下自 2025 年 4 月以來最嚴重的單日跌幅，收在 864.01 美元。此次拋售是在一份報告傳出：Nvidia 已將其在 Vera Rubin 的下一代伺服器記憶體容量，從 55TB 下調至 28TB 之後發生。然而同一天，Nvidia 執行長 Jensen Huang 公開宣布，Micron 已與 SK Hynix 和 Samsung 一同取得 HBM4 認證——這是分析師先前曾質疑 Micron 是否能夠達成的一項重大肯定。 業界專家指出，該報告混淆了兩種不同的產品類別：模組化記憶體（SOCAMM DRAM）與高頻寬記憶體（HBM），而後者才是驅動 AI 伺服器需求的主要因素。根據 Barron's 與 Trendforce 的分析師表示，Nvidia 下調標準記憶體容量，可能反映了 HBM 生產的「擠出效應」（crowding out effect）——因為每一單位的 HBM 需要的晶圓產能約為標準記憶體的三倍。Trendforce 預測，這種置換效應將在 2027 年前進一步加劇，支

根據《巴倫週刊》（Barron's），美光科技（MU-US）股價在 6 月 5 日（週五）下跌 13.25%，至 864.01 美元，因投資人擔心記憶體晶片的價格週期可能接近尾聲。雷蒙德·詹姆斯（Raymond James）分析師 Kal Ackerman 預測，DRAM 與 NAND 的平均售價將在 2026 年年中達到峰值，這與華爾街共識相反；共識認為供需缺口將持續至 2027 年年中。

根據 SemiAnalysis 於週五（6 月 5 日）發布的報告，Micron Technology 股價暴跌 13%，至 864.01 美元，這是其自 2025 年 4 月以來最大的單日跌幅。然而，同一天，Nvidia 執行長 Jensen Huang 宣布 Micron 已獲批准成為 HBM4 合格供應商，與 SK Hynix 和 Samsung 一同入選，這是一項重要背書，通常應屬利多消息。但這種矛盾使市場出現複雜訊號，即使有正面發展，股價仍面臨持續的賣壓。 SemiAnalysis 的報告聲稱，Nvidia 已將其下一代 Vera Rubin 伺服器的模組記憶體容量（SOCAMM DRAM）從 55TB 下調至 28TB，市場將此解讀為降溫 AI 記憶體需求。不過，產業分析師隨後釐清，SOCAMM 是不同的產品類別，並非高頻寬記憶體（HBM），HBM 才是推動 AI 伺服器需求的關鍵。Micron 的 CFO 隨後反駁不正確的報導，確認 HBM4 已進入量產，且出貨節奏優於預期，並正式宣布將為 Nvidia 的 Vera Rubin 進行 HBM4 36GB 12H 量產，頻

根據 Barron's，Raymond James 分析師 Karl Ackerman 在 6 月 4 日警告，DRAM 與 NAND 的平均售價可能在 2026 年年中達到峰值，時間比主流市場預期更早。該警告導致記憶體公司 Micron（MU）股價大跌 7.74% 至每股 996 美元，蒸發 942.4 億美元（94.24 billion）市值，為該公司史上單日最大跌幅。Ackerman 預測，從 2027 年初開始，DRAM 與 NAND 價格將連續兩個季度下跌，原因包括中國晶片製造商擴大產能帶來的供給壓力，以及非 AI 產業的需求轉弱；全球智慧型手機出貨量預期今年將下滑 14%。

根據摩根士丹利最新報告，該券商將美光科技（MU-US）的目標價從 520 美元上調至 1,050 美元，並將 SanDisk Corporation（SNDK-US）的目標價從 1,100 美元上調至 1,750 美元。該公司預測，記憶體晶片需求將在未來 2-3 年超過供應，原因是由於 AI 基礎建設擴建所推動；分析師 Joseph Moore 指出，DRAM 供給限制是關鍵的成長瓶頸。 摩根士丹利預估，DRAM 價格將在 5 月年增 40%，8 月年增 15%，並將美光的 2026 財年與 2027 財年每股盈餘（EPS）預測分別上調 4% 與 48%，而 SanDisk 則分別上調 12% 與 24%。儘管美光與 SanDisk 的年初至今漲幅分別為 242% 與 564%，兩者目前交易仍低於 10 倍的遠期本益比（P/E）指標，顯示仍有進一步上行空間。

根據 Wind 統計與 SK 集團公告，6 月 3 日，中國 A 股半導體股票大漲，年初至今有 25 檔個股翻倍。光力微領漲，股價上漲 17%，而元技科技錄得 217% 的年度漲幅。半導體設備巨頭先鋒上海上漲 12.39%，Chipmore、華峰測試與拓晶亦同步走強。 此次上漲由 6 月 2 日在 Computex 上公布的 SK 海力士擴張計畫所觸發。SK 集團董事長崔泰源透露，計劃在五年內將記憶體晶片產能翻倍，以滿足 AI 基礎設施需求。據高盛數據顯示，全球記憶體短缺仍然嚴重，2026 年 DRAM 與 NAND Flash 的供給缺口分別為 4.9% 和 4.2%。