خطة سامسونج لـ HBM: HBM4 ستقود الشحنات هذا العام، وترقية رقاقة HBM5 إلى تقنية 2 نانومتر

سامسونج إلكترونيكس تسرع من تطوير بنية الذاكرة عالية النطاق الترددي للجيل القادم. مع دخول HBM4 الإنتاج الكمي رسميًا هذا العام، وجهت سامسونج أنظارها إلى جيل أبعد، حيث تخطط لرفع عملية تصنيع رقاقة HBM5 من 4 نانومتر إلى 2 نانومتر، وتستخدم DRAM من نوع 1d كذاكرة مكدسة أساسية لـ HBM5E. في الوقت نفسه، ستشغل HBM4 أكثر من نصف إجمالي شحنات سامسونج من HBM هذا العام، مع زيادة إجمالي قدرة الإنتاج لأجهزة HBM بأكثر من ثلاثة أضعاف مقارنة بالعام الماضي.

وفقًا لـ ETNews ووكالة الأنباء الكورية، كشف مسؤول تطوير الذاكرة ونائب الرئيس في سامسونج، Hwang Sang-jun، عن هذه الخطة خلال مؤتمر GTC الخاص بشركة NVIDIA. وقال إن رقاقة HBM5 (القاعدة) ستُستخدم عملية تصنيع سامسونج من نوع 2 نانومتر، وهو ترقية عبر الأجيال من عملية 4 نانومتر المستخدمة في HBM4 وHBM4E، لتلبية متطلبات الأداء الأعلى للذاكرة في أعباء العمل المستقبلية للذكاء الاصطناعي.

وفيما يتعلق بأهداف القدرة الإنتاجية، قال Hwang Sang-jun إن سامسونج تخطط لأن تمثل HBM4 أكثر من 50% من إجمالي شحنات HBM هذا العام، مع زيادة الإنتاج الكلي لأجهزة HBM بأكثر من ثلاثة أضعاف مقارنة بالعام الماضي. يظهر هذا التصريح عزم سامسونج على التوسع في سوق تخزين الذكاء الاصطناعي، وله تأثير مباشر على سوق DRAM عالي الأداء وسلسلة التوريد لمسرعات الذكاء الاصطناعي في المستقبل.

بالإضافة إلى خارطة طريق التخزين، كشف Hwang Sang-jun أن شرائح الاستدلال Groq 3 تُنتج حاليًا في منشأة سامسونج في بيونجي، مع هدف للإنتاج الكمي في نهاية الربع الثالث وبداية الربع الرابع من هذا العام، مع طلبات تجاوزت التوقعات. وبذلك، تتوسع سامسونج من كونها مجرد مورد للذاكرة إلى شريك كامل في سلسلة التوريد لمسرعات الذكاء الاصطناعي.

عملية رقاقة HBM5: من 4 نانومتر إلى 2 نانومتر

وفقًا لـ ETNews، أكد Hwang Sang-jun خلال مؤتمر GTC أن رقاقة HBM5 ستُستخدم عملية تصنيع سامسونج من نوع 2 نانومتر، وهو ترقية مهمة مقارنة بـ 4 نانومتر المستخدمة في HBM4 وHBM4E. عادةً، يُساعد تحسين عملية التصنيع على تحسين عرض النطاق الترددي للذاكرة وكفاءتها في استهلاك الطاقة.

وأشار Hwang Sang-jun إلى أن اعتماد أحدث العمليات قد يؤدي إلى زيادة التكاليف، لكن لتحقيق الأداء المستهدف لـ HBM، لا بد من إدخال عمليات متقدمة. ويُوضح هذا التصريح أن سامسونج تتبع مسارًا تقنيًا يقوده ترقية العمليات لتحقيق قفزات في الأداء في مجال تخزين الذكاء الاصطناعي عالي المستوى.

أما بالنسبة لـ HBM5E، ذكر تقرير ETNews أن المنتج سيستخدم DRAM من نوع 1d كمكدس أساسي، وهو ترقية مقارنة بـ 1c DRAM المستخدم في HBM4 وHBM4E.

لا تزال DRAM من نوع 1d المستخدمة في HBM5E في مرحلة البحث والتطوير داخل سامسونج، ولم تصل بعد إلى مرحلة الإنتاج التجاري. ومع ذلك، نقلًا عن مصادر مطلعة، أشار التقرير إلى أن سامسونج حققت أداءً قويًا في الاختبارات ونجاحًا في معدلات الاختبار، مما يُظهر إشارات إيجابية نحو الانتقال إلى الإنتاج الكمي.

HBM4 تهيمن على الشحنات هذا العام، مع زيادة قدراتها بأكثر من ثلاثة أضعاف

وفقًا لوكالة الأنباء الكورية، قال Hwang Sang-jun إن هدف سامسونج لهذا العام هو أن تمثل HBM4 أكثر من 50% من إجمالي شحنات HBM، مع زيادة الإنتاج الكلي لأجهزة HBM بأكثر من ثلاثة أضعاف مقارنة بالعام الماضي.

دخلت HBM4 مرحلة الإنتاج الكمي فقط هذا العام. تخطط سامسونج لزيادة القدرة الإنتاجية الإجمالية لـ HBM بشكل كبير، تماشيًا مع الطلب المتزايد على الذاكرة عالية النطاق الترددي في سوق شرائح الذكاء الاصطناعي. وإذا تم تنفيذ خطة التوسع هذه، فسيكون لها تأثير جوهري على سوق DRAM عالي الأداء.

Groq 3: توسع سامسونج في نظام بيئة NVIDIA

بعيدًا عن أعمال التخزين، تعمل سامسونج على توسيع دورها في سلسلة صناعة مسرعات الذكاء الاصطناعي من خلال تصنيع شرائح الاستدلال Groq 3.

وفقًا لوكالة الأنباء الكورية، قال Hwang Sang-jun إن الرئيس التنفيذي لشركة NVIDIA، Jensen Huang، أعرب علنًا عن اعترافه بمساهمة سامسونج في مشروع Groq 3، الذي يُنتج حاليًا في منشأة سامسونج في بيونجي، مع هدف للإنتاج الكمي في نهاية الربع الثالث وبداية الربع الرابع من هذا العام، مع طلبات تجاوزت التوقعات.

كما أشار التقرير إلى أن مساحة رقاقة Groq 3 تتجاوز 700 ملم²، ويمكن لكل رقاقة أن تُقطع إلى حوالي 64 وحدة، وهو أقل بكثير من 400 إلى 600 وحدة عادةً. حوالي 70-80% من مساحة الرقاقة مكونة من SRAM، مما يسمح بإجراء عمليات استدلال سريعة على الرقاقة دون الاعتماد على HBM خارجي. وأوضح Hwang Sang-jun أن شركة سامسونج كانت عميلًا لعملية تصنيع الرقائق قبل توقيعها اتفاقية الترخيص مع NVIDIA.

وذكر تقرير SEDaily أن تصنيع سامسونج لرقائق Groq 3 LPU يُعتبر علامة مهمة على أن الشركة أصبحت شريكًا رئيسيًا في منصة الذكاء الاصطناعي الشاملة للجيل القادم. بعد دخول قسم تصنيع الرقائق في سامسونج إلى سلسلة توريد NVIDIA، توسع دورها من مجرد مورد للذاكرة إلى تصنيع وحدات LPU، مما يعمق التعاون مع نظام NVIDIA البيئي.

تحذيرات المخاطر وشروط الإعفاء

السوق محفوف بالمخاطر، ويجب الحذر عند الاستثمار. لا تشكل هذه المقالة نصيحة استثمارية شخصية، ولم تأخذ في الاعتبار الأهداف أو الحالة المالية أو الاحتياجات الخاصة للمستخدمين. يجب على المستخدمين تقييم مدى توافق الآراء والوجهات النظر أو الاستنتاجات الواردة مع ظروفهم الخاصة. يتحمل المستثمرون المسؤولية عن قراراتهم.