Un ETF qui parie directement sur l’industrie de la mémoire vient d’être officiellement lancé. L’ETF thématique sur la mémoire créé par Roundhill : DRAM (Roundhill Memory ETF) a été coté aux États-Unis le 2 avril 2026, et se positionne comme le tout premier « ETF de mémoire pure » du marché. Plus de 50% des revenus provenant de sociétés liées à la HBM, la DRAM et la NAND est une condition pour être inclus.
Cet ETF surpondère Micron (24,63%), Samsung (24,11%), SK hynix (23,08%), et inclut SanDisk (4,90%), Kioxia (4,86%), Western Digital (4,77%), Seagate (4,73%), Nanya Technology (3,89%), Winbond Electronics (2,40%). Pour le détail des titres et les frais, veuillez consulter l’article complet.
Frais de l’ETF DRAM à gestion active : 0,65%
DRAM est un ETF géré activement dont les frais s’élèvent à 0,65% ; la taille actuelle des actifs est d’environ 250k dollars, et le nombre de positions détenues n’est que de 9, ce qui en fait un ETF thématique fortement concentré. Par rapport aux ETF traditionnels du secteur des semi-conducteurs (qui offrent une diversification plus large, par exemple sur la conception, les équipements et la fonderie), DRAM met l’accent sur le « pure play », c’est-à-dire investir uniquement dans des entreprises liées à la mémoire, en pariant directement sur les besoins en stockage de données et en bande passante les plus essentiels à l’ère de l’IA.
L’ETF DRAM expose Micron, Samsung et SK hynix
D’après la structure de ses titres, l’ETF surpondère clairement les trois grands géants de la mémoire : Micron Technology (24,63%), Samsung Electronics (24,11%) et SK hynix (23,08%). Leurs poids combinés dépassent les 70%, ce qui permet de se concentrer presque entièrement sur l’offre centrale du marché DRAM et HBM.
À noter que cette allocation accroît aussi la pureté de l’exposition de l’ETF DRAM aux deux poids lourds coréens de la mémoire, SK hynix et Samsung Electronics, par rapport à un autre ETF coréen très commenté : EWY.
En outre, l’ETF inclut également des fabricants de mémoire taïwanais, notamment Nanya Technology (3,89%) et Winbond Electronics (2,40%). Parmi les autres titres, on trouve Kioxia, SanDisk, Western Digital et Seagate Technology, couvrant la chaîne d’approvisionnement en NAND et en dispositifs de stockage, mais avec un poids global relativement plus faible.
DRAM revient à ajouter des « étages » de levier pour parier sur les valeurs de la mémoire
Un autre trait structurel à surveiller est que l’ETF utilise des total return swaps (échanges du rendement total) pour détenir une partie des actifs, afin de respecter les règles de diversification applicables aux RIC américains (Regulated Investment Company). Cela signifie aussi que son exposition réelle pourrait différer légèrement de celle d’une détention classique d’actions au comptant, ce qui augmente la complexité de la structure du produit.
À compléter : les ETF qui utilisent des produits dérivés pour construire des positions sont, dans leur nature, différents des ETF qui « achètent directement des actions ». Les ETF traditionnels détiennent généralement les actions composant l’indice avec l’argent des investisseurs, ce qui rend l’allocation d’actifs et la valeur liquidative relativement plus intuitives ; tandis que pour une structure de type DRAM, une partie de l’encaisse sert de marge de garantie, et l’exposition à un secteur précis est amplifiée via des contrats, de sorte que la position d’investissement globale pourrait dépasser 100%.
DRAM appartient à la catégorie des ETF thématiques fortement focalisés sur un secteur unique. Ce type de produit peut potentiellement générer des rendements excédentaires significatifs pendant les phases haussières du cycle de l’IA, mais il amplifie aussi le risque lié aux cycles économiques. Le secteur de la mémoire se caractérise par de fortes propriétés de cycle de prix : dès que l’équilibre offre-demande s’inverse, la volatilité du cours des actions est souvent bien supérieure à celle des semi-conducteurs en général ou des indices de marché plus larges.
Ce texte — L’ETF « DRAM » fait son entrée avec Nanya Technology et Winbond Electronics ! Un ETF qui mise à fond sur la mémoire : composition et analyse des frais de l’ETF DRAM côté aux États-Unis — apparaît en premier sur Chaîne News ABMedia.
Avertissement : Les informations contenues dans cette page peuvent provenir de tiers et ne représentent pas les points de vue ou les opinions de Gate. Le contenu de cette page est fourni à titre de référence uniquement et ne constitue pas un conseil financier, d'investissement ou juridique. Gate ne garantit pas l'exactitude ou l'exhaustivité des informations et n'est pas responsable des pertes résultant de l'utilisation de ces informations. Les investissements en actifs virtuels comportent des risques élevés et sont soumis à une forte volatilité des prix. Vous pouvez perdre la totalité du capital investi. Veuillez comprendre pleinement les risques pertinents et prendre des décisions prudentes en fonction de votre propre situation financière et de votre tolérance au risque. Pour plus de détails, veuillez consulter l'
avertissement.
